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專業的GaN HEMT功率管驅動IC應具有以下特性：

1. 合適的驅動電平以降低柵極擊穿風險；

2. 兆Hz以上的工作頻率；

3. 納秒級的傳播延遲及上升下降時間以實現高速開關；

4. 較大的峰值拉灌電流；

5. 合適的UVLO保護電平防止不飽和開啟；

6. 較小的封裝以降低柵極回路電感減小開通關斷振鈴；

7. 獨立的拉灌驅動方式便于調節開通關斷電阻。半橋驅動IC還應具有高邊自舉電壓鉗位功能等，防止半橋應用中上管驅動過壓風險。